NAND Flash市况好转 长江存储直接切入128层堆叠开发-娄山关新闻网

                                                            2020年01月18日 5:03 来源:娄山关新闻网
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                                                            【赵忠祥生前影像】

                                                            随着NAND Flash市况好转♂▽⌒,大陆记忆体厂商长江存储16日宣布下一个阶段的技术发展目标☆□┊,将跳过如今业界常见的 96 层⊿♂♀,直接投入128 层NAND Flash 的研发工作⊙┊π,但尚未发布具体的目标时间表┊。大陆科技新闻驱动之家报导☆∴♂,对于长江存储计画跳过 96 层堆叠∴,直接投入128层堆叠 NAND Flash 产品的发展计画♂〇,市场人士反映π∵⊙,在大陆极力发展自主半导体产业的情况下△,期望弯道超车已经是各厂商努力的目标☆↑⊿,只是届时能不能完成♂♂,还有待观察⊙?□。 2020 年∴♂,全球 NAND Flash 产业将集体朝向 100 层以上堆叠的发展已经成为趋势♀,例如南韩SK海力士已在近期出货128层快闪记忆体并将在年底做到176层;三星有128层、136层△?♂,威腾、铠侠(原东芝存储)都是112层但存储密度更高;美光128层;Intel则会做成144层♂。过去∟♂,长江存储推出 64 层堆叠的NAND Flash 产品⊿?,相对于国际大厂有一到两代的差距?∴⊙,因此这次选择以128 层堆叠的产品发展⊿↑,一旦真的成功◇,无疑的将能进一步缩小与业界其他领先对手的差距♂∟,不过在技术的挑战性上也将会更大△∴。在技术创新层面﹡∟♂,长江存储研发了自己的Xtacking堆叠架构⌒◇⊙,已经可以保证可靠性问题♂,下一代的Xtacking 2.0也正在推进中∴⌒,会重点拓展性能、功能♂☆⊙,也是直接上128层堆叠的重要关键∵。根据长江存储先前的介绍⊿,Xtacking 架构是在两片独立的晶圆上加工周边电路和储存单元↑∴〇,有利于选择更先进的制程技术∴,提升 NAND Flash 的 I/O 介面速度、储存密度□▽,使得晶片面积也能减少约 25%∴。当两片晶圆各自完工后π﹡〇,只需一个处理步骤就可透过数百万根垂直互联通道 (VIA)∴△,将两片晶圆结合在一起∴◇⊙。长江存储强调π﹡,受惠于并行且模组化的产品设计及制造方式┊△□,这使得 Xtacking 架构的 NAND Flash 的开发时间也可缩短 3 个月⊙﹡,生产周期也可缩短 20%♂∟△。长江存储日前还发布⌒,自主研发的 64 层堆叠 256Gb TLC NAND Flash 已经在2019年投入量产∴?△,并正在扩充的产能↑↑,将尽早达成约产能10万片的规模□△,并达到计画总产能每月30万片的目标♀∟。长江存储□。图/湖北日报 分享 facebook 长江存储自研发64层快闪记忆体∴。图/快科技 分享 facebook

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